| 英文(wén)名稱 | BIS -LRB-4-tert-butyl phenyl)♣♦¶ iodide chloride |
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| 中文(wén)名稱 | 電(diàn)子(zǐ)級 雙(4-叔丁基苯基)氯化(huà)碘鹽 |
| CAS号 | 0-0-YH84024 |
| 産品編号 | YH84024 |
| 分(fēn)子(zǐ)式 | C20H26ClI |
| 分(fēn)子(zǐ)量 | 428.08 |
電(diàn)子(zǐ)級雙(4-叔丁基苯基)氯化(huà)碘鹽是(shì)一(yī)種高(gāo)純度、特殊設計(jì)的(de)有(yǒφ∞¥u)機(jī)化(huà)學品,廣泛應用(yòng)于∏α半導體(tǐ)制(zhì)造和(hé)光(gu♣σāng)刻工(gōng)藝中。作(zuò)為(wèi)一(yī)₹± ↕種具有(yǒu)強烈電(diàn)負性的(de)化Ω↑ (huà)合物(wù),雙(4-叔丁基苯基)氯化(huà)碘鹽可(kě)以作(zuò)為(w∑♠"σèi)高(gāo)效的(de)光(guāng)酸生(shēn'≈g)成劑,适用(yòng)于先進的(de)光(guā★≈♠ ng)刻膠配方。該化(huà)合物(wù)以其優異•的(de)光(guāng)敏性能(néng)和(hé)•₹π₹化(huà)學穩定性,在微(wēi)電(d↑★↑↓iàn)子(zǐ)領域中發揮著(zhe)至關重要(yào)的(de)作(zγ→©uò)用(yòng),特别是(shì)在高(gāo)精度圖案轉移和(hé)™÷§微(wēi)結構制(zhì)造中。
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【基本性質】
化(huà)學名稱:雙(4-叔丁基苯基)氯化(huà)碘鹽
英文(wén)名稱: BIS -LRB-4-tert-butyl×&€♠ phenyl) iodide chloride
分(fēn)子(zǐ)式:C20H26ClI
分(fēn)子(zǐ)量:428.08
外(wài)觀:黃(huáng)色至橙色固體(t↓≥αǐ)
溶解性:可(kě)溶于有(yǒu)機(jī)溶劑如(rú)二甲基亞硫酰胺(φβ∑✘DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)等,溶解度較低(dī)于水(shuǐ)
熔點:約150-160℃
分(fēn)解溫度:>230℃
儲存條件(jiàn):應存放(fàng)在幹燥、陰涼、避光(≈α←γguāng)環境中,避免溫度過高(gāo),推薦儲存溫度不(bù)超過25℃
【應用(yòng)領域】
光(guāng)刻膠材料
作(zuò)為(wèi)一(yī)種光(©→guāng)酸生(shēng)成劑,雙(4-叔丁基苯基)氯化(huà)碘鹽能(néng)夠在光(guān←g)照(zhào)下(xià)釋放(fàng)強酸,促進光(guāng§↕)刻膠的(de)化(huà)學反應,優化(huà)圖案分(fēn)辨率和(h¥✘ é)分(fēn)辨度。
(1)适用(yòng)于先進半導體(tǐ)光(guāng)刻膠配方,特别是(shì>&•®)用(yòng)于KrF、ArF以及EUV光(guāng)刻工(gōng)藝。
(2)在高(gāo)精度光(guāng)刻過程中∞∏$€,提供優異的(de)分(fēn)辨率和(hé)圖案×∞清晰度,滿足微(wēi)小(xiǎo)結構的(de)制(zhì)造需求。
半導體(tǐ)制(zhì)造
在半導體(tǐ)制(zhì)造過程中,該産品作(zuò)∞♦為(wèi)光(guāng)刻膠的(de)增感劑,能(néng)夠有(→♥≠±yǒu)效提高(gāo)曝光(guāng)靈敏度和(hé)圖案轉移的(¶↔de)精度。
(1)通(tōng)過提高(gāo)光(guāng)刻膠的(de)反應β• 性,提升圖案的(de)精度和(hé)質量。
(2)在微(wēi)米級及亞微(wēi)米級γ∏←×的(de)半導體(tǐ)工(gōng)藝中,确保光×₹(guāng)刻過程中的(de)細節精準無誤。
電(diàn)子(zǐ)材料與功能(néng)塗層
該化(huà)合物(wù)還(hái)可(kě)以作(zuò)≈∑€↑為(wèi)功能(néng)性塗層的(de)催化(huà)≈¶↔劑或助劑,改善電(diàn)子(zǐ)元件(jiàn)的(de)表面性✘≥能(néng)和(hé)熱(rè)穩定性。
(1)在電(diàn)子(zǐ)封裝領域,增強材料的(de)耐熱§ε(rè)性和(hé)抗氧化(huà)性,延長(cháng)設備使用(yòn₹✔♥≈g)壽命。
(2)可(kě)用(yòng)于電(diàn)子(zǐ←♥)器(qì)件(jiàn)的(de)表面處理(lǐ)和(hé)功能(nénΩ→g)化(huà)塗層,提供額外(wài)的(de)光(guā↓φ÷ng)學穩定性和(hé)電(diàn)氣性能(néng)