| 英文(wén)名稱 | triphenylsulfonium p$₩entafluoroethanesulfonat¥φ☆↔e |
|---|---|
| 中文(wén)名稱 | 電(diàn)子(zǐ)級 五氟乙烷磺酸三€✔φ 苯基硫鎓鹽 |
| CAS号 | 341979-02-0 |
| 産品編号 | YH84021 |
| 分(fēn)子(zǐ)式 | C20H15F5O3S2 |
| 分(fēn)子(zǐ)量 | 462.04 |
| 英文(wén)名稱 | triphenylsulfonium p$₩entafluoroethanesulfonat¥φ☆↔e |
|---|---|
| 中文(wén)名稱 | 電(diàn)子(zǐ)級 五氟乙烷磺酸三€✔φ 苯基硫鎓鹽 |
| CAS号 | 341979-02-0 |
| 産品編号 | YH84021 |
| 分(fēn)子(zǐ)式 | C20H15F5O3S2 |
| 分(fēn)子(zǐ)量 | 462.04 |
五氟乙烷磺酸三苯基硫鎓鹽是(shì)一(yī)種高(gāo)純度的(↓§®©de)有(yǒu)機(jī)硫鎓鹽化(huà)合物(wù),→≈γ具有(yǒu)極佳的(de)光(guāng)化(huà)學♣"✘₽性能(néng),常用(yòng)于電(dià∑σ&n)子(zǐ)工(gōng)業(yè)和(h✘↑↔♥é)半導體(tǐ)加工(gōng)中。作(zuò)為(wè✘α¥i)一(yī)種光(guāng)酸生(shēng)成劑(PAG),該化(huà)合物(wù)在光(guāng)刻膠和(hα →é)抗蝕劑配方中表現(xiàn)出優異的(dφ♣≤e)感光(guāng)性能(néng),尤其在深紫外(wài)(DUV)和(hé)極紫外(wài)(EUV)光(guāng)刻技(jì)術(shù♦✔$)中應用(yòng)廣泛。其硫鎓離(lí)子(zǐ)結構和(hé) ×五氟乙烷磺酸根配體(tǐ)提供了(le)優異的(de)光(guāng)酸•§φ生(shēng)成效率和(hé)穩定性,是(shì)先進光(guāng₩&±)刻膠配方中重要(yào)的(de)成分(fēn)。
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[基本性質]
1.基本性質
分(fēn)子(zǐ)式:C20H15F5O3S2
分(fēn)子(zǐ)量:462.04 g/mol
外(wài)觀:白(bái)色至淺黃(huáng)色$₽←π結晶粉末
2.溶解性
易溶于極性有(yǒu)機(jī)溶劑,如(rú)乙腈、丙酮和(hé)甲醇。
不(bù)溶于水(shuǐ),但(dàn)能(néng)↓≈在某些(xiē)有(yǒu)機(jī)溶劑中形成穩定溶液。
3.熱(rè)穩定性
具有(yǒu)較高(gāo)的(de)熱(rè)分(fēn)解溫度,适用(®÷>↕yòng)于高(gāo)溫光(guāng)刻和(hé)λ♠€加工(gōng)工(gōng)藝。
存儲時(shí)需避光(guāng)、密封,防止吸濕和(hé)分¥σ(fēn)解。
[應用(yòng)領域]
1.光(guāng)酸生(shēng)成劑(PAG)
作(zuò)為(wèi)光(guāng)刻膠的©'λ$(de)關鍵成分(fēn),能(néng)夠在曝光(gu¥āng)過程中生(shēng)成強酸,促""☆進光(guāng)刻膠的(de)顯影(yǐng)反應。
在深紫外(wài)(DUV)和(hé)極紫外(wài)(EUV)光(guāng)刻工(gōng)藝中表現(xiàλφn)出優異的(de)光(guāng)酸生(shēng)成效率,适用(yòngφ→)于先進半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)的(de)制(zhì∏¥)造。
2.電(diàn)子(zǐ)材料和(hé)抗蝕劑
用(yòng)于抗蝕劑配方中,能(néng)夠提高(gāo)抗蝕劑的(→☆de)感光(guāng)性能(néng) ®≥和(hé)分(fēn)辨率,改善圖形的(de)保真度。
在高(gāo)分(fēn)辨率光(guāng)刻中 ε£用(yòng)于制(zhì)造先進的(de)芯片和(hé)集成電(diàn)✔✘路(lù)。
3.有(yǒu)機(jī)合成中間(jiān)體(tǐ₩₽↑)
作(zuò)為(wèi)一(yī)種含硫化(huà)合物(wù)的(de)中間β±(jiān)體(tǐ),可(kě)用(yòngφπ )于制(zhì)備其他(tā)複雜(zá)的(de)有(y✘'ǒu)機(jī)硫化(huà)物(wù)和(h©↑é)光(guāng)敏材料。其五氟乙烷磺酸鹽結構能(néng)夠提供優異的(de)電(di¶÷÷àn)化(huà)學穩定性,适合高(gāo)性能(néng)材料的(de)開(≈×"kāi)發。
電(diàn)子(zǐ)級五氟乙烷磺酸三苯基硫鎓鹽由于其高(gāoδ∏§)純度和(hé)優異的(de)光(guāng)化(hΩuà)學性能(néng),已成為(wèi)現(xiàn)代半導體∑↓↑↓(tǐ)光(guāng)刻材料中不(bù→"Ω)可(kě)或缺的(de)重要(yào)成分(fēn)